超痕量分析高纯胂的微电子产业中的杂质

超痕量分析高纯胂的微电子产业中的杂质
摘要
        如砷化氢工艺气体的纯度是至关重要的成功制造高亮度的光电器件，如场效应晶体管，HEMT器件和异质结双极晶体管的高速晶体管。许多薄膜沉积过程是敏感气体中的杂质在每十亿分之一（ppb）的水平或以下，所以必须严格工艺气体微量杂质的自由。例如痕量锗是一种n型掺杂，降低了基于GaAs的光学器件的发光效率。锗也增加了漏电流，减少了晶体管的增益。温湿度仪 | 电流表 | 滴定仪 | 钳表 | 电源供应器 | 气体检测仪 | 烟气分析仪 | 平嘴钳 | 电导计 | 扁嘴钳 | 水分测定仪 | 红外线测温仪
作为设备的性能要求的提高，需要高纯度氢前兆和方法来分析和控制这些微量的“杀手锏”杂质，必须予以追究。到现在为止，如GC-迪拉姆技术已用于检测，如硅烷，锗和氢硫化物在低ppb水平的氢杂质，但PPT敏感性已不可能。在本文中，我们讨论中的杂质的色谱分析的进展，包括发展与超痕量锗杂质分析，电感耦合等离子体质谱，气相色谱仪在高纯度胂。有密切关系的这一分析，首先分离从胂矩阵气体的毛细管气相色谱法，然后介绍到葛检测监测质量离子m / z 74 ICPMS法。这锗同位素的自然丰度最大，是从分子离子干扰。因此，超痕量检测有密切关系下降43个百分点是有可能在砷化氢。该方法也超过5个数量级的线性。
下图显示的GC-ICPMS高纯度胂样品和无250 PPT有密切关系的穗单离子色谱。峰值在纯化砷化色谱的有密切关系的保留时间的情况下表示，有密切关系的杂质是在这个缸的方法检出限以下。