离子探针的测量技术-广州市骏凯电子科技有限公司

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离子探针的测量技术

（1）一般处理
　　一要注意进样前后，真空度是否达到要求；二要选择最佳检测条件，以获得高质量的尽可能有用的数据。
（2）样品制备
　　测量前，对不同种类的样品须作不同制备：
　　a ．若样品本身组分均匀，又以分析平均组分为目的，则表面宜预先进行研磨、清洗处理，先用丙酮再用无水酒精清洗时，宜加超声波技术；
　　b ．若表面分析、不可研磨等处理时，用丙酮、无水酒精进行超声清洗即可。
　　c ．粉末样品，可压片或埋入柔性金属箔中。压片时，为使样品具有导电性，可添加石墨等高纯材料。
　　样品大小取决于样品架大小。一般说来，直径以～10mm 为宜。样品位置可用目测、光学显微镜或直接监视信号进行调节。不过尚需注意，离子探针分析值易受表面状态，尤其是表面形貌的影响。
（3）体相分析
　　以体内平均组分的定性、定量分析为目的时，为消除样品表面污染和吸附的影响，可用大束斑离子来进行溅射清洁，然后再缩小束斑进行分析。
（4）表面和薄膜分析
　　表面和薄膜分析应考虑如下几个方面。
　　a ．要求一次离子束密度均匀；
　　b ．样品消耗量应尽可能小。选用合适的一次离子束，以提高二次离子产额；
　　c ．查明二次离子起源，确定是样品本身或是表面吸附物产生的。有时可先用电子束照射样品，吸附物会发射离子，而样品基本上不产生离子，然后再用离子束分析，比较两者结果即可区别。
（5）纵向分析
　　进行高精度纵向分析时，应考虑下表所列因素。

　　样品表面存在氧化层和吸附层等时，测定真实的纵向浓度分布是困难的。由于功函数发生变化，会影响二次离子的发射能力。为修正此类表面效应，有人提出了全离子监视法，检测由样品发射的全离子电流的一部分（要与全离子电流成正比），取它与质谱分析所得的特定离子电流之比来消除表面效应。
（6）绝缘体样品分析
　　此时可用低能中和电子枪或改用负离子束轰击，以稳定二次离子发射。
（7）同位素比的测定
　　此时，除去干扰离子很重要。这可由检查各元素的天然同位素比同所测谱的同位素比是否一致，便可得知。
（8）二次离子像
　　分为全二次离子像和特定质量离子像两种形式。前者用来确定表面元素原子含量的对比度以及分析部位的位置，并对观察样品表面形貌、电位分布、晶体取向差别等。后者用于检测样品表面的元素及化合物分布、观察表面污染、析出物和偏析现象等。
（9）特殊的测量技术
　　为拓宽测量领域，可使用一些特殊的测量技术，如样品原位断裂、样品加热、致冷、转角、二次离子的能量分离和质谱变速扫描等。

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